• Виробник - Gate
• Мосфет 3 покоління
• Максимальна напруга - 14,4 В
• Сумісність з Li-Po
• Активне гальмування
• Електронний запобіжник
• Захист від вібрацій

Мосфет Gate NanoAAB - це MOSFET останнього (на момент випуску), третього покоління, з функцією активного гальмування. Використання сучасних транзисторів та мікросхем дозволило створити найкомпактніший на ринку модуль з цією функцією. Завдяки спеціальному покриттю, пристрій є стійким до несприятливих погодних умов. Він має ряд корисних функцій:

MOSFET

Бажаєте досягти високого темпу ведення вогню та швидкого відклику на спуску? Плануєте апгрейд потужності для приводу? В такому разі вам не обійтися без MOSFET. Ця схема спрямовує енергію від батареї прямо до мотору, в обхід спускових контактів. Результатом є підвищення темпу стрільби та зниження часу реакції на спуск, а контакти отримують додатковий захист від вигоряння.

АКТИВНЕ ГАЛЬМУВАННЯ

Турбуєтеся про реалізм? Бажаєте “подовжити життя” гірбоксу? Маєте настільки “швидкий” привід, що темп стрільби не дозволяє робити одиночні постріли? У таких випадках вам потрібне “Активне гальмування”. У режимі SEMI (одиночні постріли) ця функція блокує стискання пружини поршня після пострілу. Таким чином, поршень залишається у передньому положенні, що знімає непотрібне навантаження з елементів гірбоксу та збільшує строк їхньої служби. Ця функція особливо корисна у приводах з підвищеною потужністю. У будь-якому разі, привід миттєво перестає стріляти після відпускання гачка. Таким чином забезпечується додатковий реалізм та економія боєкомплекту. 

ЕЛЕКТРОННИЙ ЗАПОБІЖНИК

Всім відомо, наскільки важливою на полі бою є надійність. Тому контролер має температурний захист та плавкий запобіжник з затримкою спрацьовування; ці системи повністю захищають “начинку” приводу.

ЗАХИСТ ВІД ВІБРАЦІЙ

Завдяки повній сумісності з мікроперемикачами модуль дає високу стійкість до брязкоту (вібрації) контактів. Практичними наслідками є високий темп стрільби, швидка реакція на спуск, а також мінімальна ймовірність перегріву MOSFET. 

MOSFET 3 ПОКОЛІННЯ

Використання найновіших транзисторів та мікроконтролера дало можливість створити наймініатюрніший та найнадійніший MOSFET на ринку.

У комплект входять:

- модуль NanoAAB

- додатковий набір конекторів Deans-T;

- одинарний сигнальний кабель для спускових контактів;

- подвійний сигнальний кабель для спускових контактів.